IGBT käyttää MELF Patch Glass Sealed NTC -termistoria korkealaatuisena toimittajana, X-Meritan on kerännyt syvällistä ammatillista tietämystä monen vuoden kokemuksella alalla ja pystyy paremmin tarjoamaan asiakkaille laadukkaita tuotteita ja erinomaisia myyntipalveluita. Jos tarvitset IGBT Uses MELF Patch Glass Sealed NTC -termistoria, ota rohkeasti yhteyttä neuvontaa varten.
Ammattimaisena viejänä X-Meritan tarjoaa asiakkailleen IGBT Uses MELF Patch Glass Sealed NTC -termistoria, joka on valmistettu Kiinassa ja joka täyttää kansainväliset laatustandardit. IGBT on täysin ohjattu, jänniteohjattu tehopuolijohdelaite, jolla on pieni jännitehäviö ja jota käytetään laajalti tehoelektroniikassa. Siinä yhdistyvät MOSFETin jänniteohjatut ominaisuudet BJT:n pieniin on-tilahäviöihin, ja se tukee suurivirta- ja suurjännitesovelluksia nopeilla kytkentänopeuksilla ja korkealla hyötysuhteella. IGBT:n kokonaissuorituskyky on vertaansa vailla muihin virtalaitteisiin. Sen etuna on MOSFETin korkean tuloimpedanssin yhdistäminen GTR:n alhaiseen jännitehäviöön. Vaikka GTR:t tarjoavat alhaisen kyllästysjännitteen ja suuren virrantiheyden, ne vaativat myös suuria käyttövirtoja. MOSFETit loistavat alhaisella virrankulutuksella ja nopeilla kytkentänopeuksilla, mutta kärsivät suuresta jännitteen laskusta ja alhaisesta virrantiheydestä. IGBT yhdistää näppärästi molempien laitteiden edut säilyttäen alhaisen taajuusmuuttajan virrankulutuksen ja saavuttaen samalla alhaisen kyllästysjännitteen.
Siirtoominaisuudet: Kollektorivirran ja hilajännitteen välinen suhde. Käynnistysjännite on hila-emitter-jännite, jonka avulla IGBT voi saavuttaa johtavuusmodulaation. Käynnistysjännite laskee hieman lämpötilan noustessa, ja sen arvo pienenee noin 5 mV jokaista 1°C lämpötilan nousua kohden. Voltti-ampeeri-ominaisuudet: Lähtöominaiskäyrä, eli kollektorin virran ja kollektorin ja emitterin välisen jännitteen välinen suhde mitataan hila-emitterijännitteellä vertailumuuttujana. Lähtöominaisuus on jaettu kolmeen alueeseen: eteenpäin estävä, aktiivinen ja kylläisyys. Toiminnan aikana IGBT vaihtaa ensisijaisesti eteenpäin suunnatun esto- ja saturaatioalueen välillä.
Valmistaja tarjoaa teknisesti edistyneitä IGBT-moduuleja, jotka kattavat useita kenttiä ja joilla on usean tuotemerkin jakeluominaisuudet. Ammattitaitoisten elektroniikkakomponenttitoimittajien kautta tarjoamme maailmanlaajuisia jakelupalveluita.
